東京大学大学院工学系研究科 マテリアル工学専攻 喜多研究室 本文へジャンプ
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機能性ナノ薄膜工学講座 喜多研究室

MESSAGE
社会の省エネルギー化のために,電力の利用効率を高める技術の普及が急務となっています。当研究室では,高い機能を持つマテリアルを導入した電子デバイスを用いることで,電力利用効率の飛躍的な向上を目指す研究を行います。
例えば超高効率で電力変換を行うパワーデバイスがあれば,機器の動作や電力変換のたびに熱として損失しているエネルギーを大幅に削減できます。また,高度情報化社会では超低消費電力で動作する情報処理システムが不可欠となりつつあります。
当研究室では現在,超高効率の次世代パワーデバイス技術の開発や,新しい動作原理によって電流を殆ど必要としない先端エレクトロニクスを目指した研究を行っています。

准教授 喜多浩之
(きたこうじ)

〒113-8656 東京都文京区本郷7-3-1
東京大学工学部4号館441号室
TEL/FAX 03-5841-7164
kita(at)scio.t.u-tokyo.ac.jp
((at)は@へ置き換えて下さい)

私たちと一緒に研究をしませんか?
見学はいつでも歓迎しています。
事前に喜多まで連絡の上でお越しください。
NEWS
SiO2/Al2O3界面に生じるダイポール層の温度変調効果に関する解析結果に関する,濱口君(3月に修士課程修了)の論文がJpn. J. Appl. Phys.誌に掲載されました。また,p型 4H-SiC基板上のMOS特性及びSiC PMOSFET特性の水蒸気アニールによる制御に関する,小柳潤君(3月に修士課程修了)の論文がJpn. J. Appl. Phys.誌に掲載されました。 研究発表リストはこちら
4H-SiC m面上MOS特性の水蒸気アニールによる変化に関する,Qiao Chuさん(D1)の論文がMaterials Science in Semiconductor Processing 誌に掲載されました。 研究発表リストはこちら
SiC MOS構造のバンドオフセット変調に関する,Tae-Hyeon Kil君(D2)の論文がAppl. Phys. Lett.誌に掲載されました。また,SiCの熱酸化に伴うSiC基板の異常歪みに関する,卒業生のAdhi Dwi Hatmanto博士の続報となる論文がJapanese J. Appl. Phys.誌に掲載されました。 研究発表リストはこちら

新しい卒論生が配属されました。佐賀君,武田君,籾山君,1年間宜しくお願いします。(4月) 研究室メンバーのリスト
祝! 卒業。M2小柳君&濱口君,B4金田君,長谷川君,劉君,おめでとう!(3月) 写真はこちら

Conference Information & Call for Papers
Pacific Rim Meeting on Electrochemical & Solid-State Science (PRiME 2020, ECS, ECSJ, & KECS Joint Meeting) @Honolulu, HI (Oct.4-9, 2020)

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